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BSC152N10NSF G 全国供应商、价格、PDF资料

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BSC152N10NSF G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.2 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 72µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 50V; 功率_最大：114W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

BSC152N10NSF G供应商

BSC152N10NSF G 深圳市向鸿伟业电子有限公司 0755-82561519
BSC152N10NSF G 深圳市科格尔电子有限公司 0755-82798529
BSC152N10NSF G 深圳和润天下电子科技有限公司 0755-83798683
BSC152N10NSF G 深圳市创芯联盈电子有限公司 0755-88291559
BSC152N10NSF G 深圳市易信优科技有限公司 0755-23914006
BSC152N10NSF G 深圳市芯满林科技有限公司 18926544209/1
BSC152N10NSF G 北京显周科技有限公司 13910052844（微
BSC152N10NSF G 北京显周科技有限公司 13910052844（微
BSC152N10NSF G 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
BSC152N10NSF G 北京首天伟业科技有限公司 010-62104931、
BSC152N10NSF G 北京元坤国际科技有限公司 010-62104931、

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B43504E2477M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BFC241911603
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.016UF 400VDC RADIAL
B82422A3390K108
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 0.039UH 10%
C320C104K1R5TA7303
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
BSC130P03LS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
B37933K5120J60
陶瓷 EPCOS Inc 0603（1608 公制） CAP CER 12PF 50V 5% C0H 0603
BFC241911803
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.018UF 400VDC RADIAL
B43504E2477M62
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
B82422A3471K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%
B37933K5820J60
陶瓷 EPCOS Inc 0603（1608 公制） CAP CER 82PF 50V 5% C0H 0603
B43504E2477M7
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BFC241912002
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2000PF 400VDC RADIAL
B82422A3471K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%
C320C104K5R5TA7301
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL
BSC160N10NS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

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